Intel prueba un procesador a 45 nanómetros con múltiples núcleos

entro de una serie de importantes avances en el diseño fundamental de transistores, Intel Corporation ha comunicado el empleo de varios materiales muy diferentes que se van a utilizar para crear los "muros" aislantes y las "puertas" para conmutación en los cientos de millones de transistores microscópicos de 45 nanómetros - o conmutadores - que se van a incorporar en la próxima generación de las familias de procesadores con múltiples núcleos Intel® Core™ 2 Duo, Intel Core 2 Quad y Xeon®.

Las prestaciones de este transistor van a permitir a la compañía continuar ofreciendo unos procesadores rápidos e innovadores para PCs, ordenadores portátiles y servidores, reduciendo al mismo tiempo las fugas eléctricas de los transistores que pueden dificultar el diseño del procesador y del PC, además de disminuir el tamaño, el consumo, el ruido y los costes de los equipos. Asimismo, estos avances aseguran el cumplimiento de lo establecido por la Ley de Moore durante los próximos diez años, un axioma del sector de la alta tecnología que estima la duplicación del número de transistores por pulgada en circuitos integrados cada dos años aproximadamente.

Cuarenta y cinco nanómetros (45nm) es un tamaño ínfimo. Para hacernos una idea, 400 transistores elaborados a esa escala pueden caber en un glóbulo rojo humano. En un momento en el que otras empresas del sector están empezando a utilizar la tecnología para elaboración a 65nm, Intel está realizando unos progresos importantes en su tecnología para fabricación a 45nm y ya ha elaborado muestras de un procesador a dicha escala que ha podido iniciar cuatro sistemas operativos diferentes.

Esta innovación en transistores permitirá a la compañía continuar ofreciendo velocidades de procesamiento asombrosas en servidores, equipos portátiles y de sobremesa, mientras se reducen las pérdidas de energía eléctrica de los transistores, lo que permite reducir el diseño del chip y del equipo informático, su tamaño, consumo eléctrico, ruido y costes. Además, este anuncio asegura la Ley de Moore, un axioma de la industria de alta tecnología en el que se plantea que el número de transistores en un chip se duplica cada dos años, algo que toma fuerza para la próxima década.

La percepción de Intel es que ha ampliado su liderazgo en más de un año frente al resto del mercado de semiconductores con el anuncio de los procesadores de 45 nanómetros y la próxima generación de productos basada en esta tecnología - de nombre código "Penryn". Las primeras versiones, que estarán centradas en cinco segmentos de mercado informático diferentes, están trabajando con sistemas operativos como Windows* Vista*, Mac OS X*, Windows* XP y Linux, así como diferentes aplicaciones. La compañía mantiene sus planes de producción de 45 nanómetros para la segunda mitad de este año.

Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dielectrico "High-K" y un Nuevo metal de puerta

Intel es el primero en implantar una innovadora combinación de nuevos materiales que reducen drásticamente las fugas e incrementan el rendimiento de su tecnología de procesamiento de 45 nanómetros. La compañía utilizará un nuevo material con una propiedad denominada "high-k", para dieléctrico de puerta del transistor, y una nueva combinación de materiales metálicos para el electrodo de puerta del transistor.

"La implementación de materiales metálicos y "high-k" marca el cambio más grande en la tecnología de transistores desde la presentación de los transistores MOS de puente de polisilicio a finales de los años 60" comenta Gordon Moore, co-fundador de Intel.

Los transistores son interruptores diminutos que procesan los unos y ceros del mundo digital. La puerta deja pasar o no la corriente en el transistor y el dieléctrico de puerta es un aislante inferior que separa la puerta del canal por el que fluye la corriente. La combinación de la conexión de puerta metálica y el nuevo dieléctrico de puerta high-k permite transistores con corrientes eléctricas de fuga muy bajas y ofrece un alto rendimiento sin igual.

"Debido a que cada vez más y más transistores son encapsulados en una única pieza de silicio, el mercado continúa analizando las actuales soluciones para la reducción de corrientes de fuga", indica Mark Bohr, Socio Senior de Intel. "Mientras, nuestros ingenieros y diseñadores han alcanzado un logro muy importante que asegura el liderazgo de Intel en productos e innovación. Nuestra implementación de transistores de puerta metálica y el innovador material high-k para nuestra tecnología de fabricación de 45 nanómetros ayudará a Intel a proporcionar productos multi núcleo más eficientes y rápidos sobre los que construir el éxito de las familias de procesadores Intel Core 2 y Xeon, y extender la Ley de Moore durante la próxima década".