Desarrollan los primeros transistores de silicio que se activan mediante electrones

os dispositivos experimentales, diseñados y fabricados por la compañía NTT Corp. de Japón y probados en el Instituto Nacional de Tecnología y Medidas (NIST) de Estados Unidos, pueden tener usos en la nanoelectrónica de baja potencia, particularmente como circuitos integrados de próxima generación para operaciones lógicas (en comparación con tareas más simples de memoria).

Los transistores que fueron descritos en la revista especializada Applied Physics Letters se basan en el principio de que conforme el tamaño del dispositivo se contrae hasta la gama del nanómetro, la cantidad de energía requerida para mover un solo electrón aumenta perceptiblemente.

Esto permite controlar el movimiento individual del electrón y su flujo manipulando el voltaje aplicado a las barreras, o "puertas," en un circuito eléctrico. Con un voltaje negativo, el transistor está apagado; en un voltaje más alto el transistor cambia y electrones individuales se filtran a través del circuito, en comparación con los miles de un dispositivo convencional.

Este tipo de transistor innovador, llamado " túnel de un solo electrón" (FIJE), se hace típicamente con un metal "cable" interrumpido por barreras aisladas que ofrecen una gama rígida y estrecha de control sobre el flujo del electrón.

Los dispositivos de silicio, por el contrario, tienen barreras que son eléctricamente "sintonizables" sobre un rango de operación más amplio, ofrecimiento un control más fino, y un control más flexible del apagado y encendido del transistor.

Niveles voltaicos particulares se aplican a través de las barreras, para manipular la carga, como una forma de estimular o de impedir el flujo del electrón.

Los dispositivos basados en el Silicio permiten también su fabricación usando tecnología de semiconductores estándar.

Hasta este momento, sin embargo, no se ha divulgado ningún diseño determinado del transistor de silicio fabricable y controlable.

El equipo de NIST/NTT trabajo los transistores de silicio con barreras sintonizables.

Cada dispositivo consiste en un canal de silicio 360 nanómetros (nm) de largo y 30 nm de par en par, con tres puertas cruzando el canal.

Las puertas tienen dos niveles; el nivel superior cambia a la corriente de encendido y apagado, mientras que el control del flujo de electrones del nivel inferior se da en pequeñas áreas locales.

El equipo de investigadores fue capaz de alterar las característica de conductancia de las puertas en una amplia gama y por más de tres órdenes de magnitud.